(응집물리 세미나) Flat-surface-assisted physical phenomena occurring in single crystal metal thin film
2022.05.25 09:15
날짜 | 2022-04-08 11:00 |
---|---|
일시 | April 08(Fri.) 11:00 |
장소 | E6-1 #1323 |
연사 | Prof. Se-Young Jeong (Optics and Mechatronics Engineering , Pusan National University) |
- PW: 079031
이번 세미나에서는 초평탄표면물리(flat-surface physics), 기판공학 (substrate engineering)과 산화 물리 및 공학(oxidation physics and engineering)에 대해 소개한다. 전세계적으로 아직 발달되지 않은 개념 및 영역들이지만 금속 박막의 표면을 원자층 수준으로 조절하였을 때 나타나는 다양한 새로운 물성, 물질의 기판을 조절하여 목표하는 물질을 완벽한 단결정으로 성장하는 기판공학, 그리고 산화성 금속의 산화가 왜 일어나는 지에서부터 산화를 원천 차단하는 방법과 강제로 산화를 벡터량처럼 제어하는 방법 까지를 소개할 것이다. 산화가 잘 제어된 단결정구리 박막에서 구현되는 빨주노초파남보의 색을 포함하여 회색에서 검정색까지의 무채색 표면에 대한 흥미로운 광학적, 구조적 특성도 소개한다. 뿐 만 아니라 이중의 heteroepitaxial process 임에도 단원자층의 평탄면(mono-atom stepped flat surface)를 보장하는 메타모르픽성장(meta morphic growth)의 막강한 장점을 소개한다.
![dataURItoBlob.png](https://physics.kaist.ac.kr/./files/attach/images/127/620/012/fd08971b494bed17abe0dbf0606aab6f.png)
그림. 원자 스퍼터링 에피택시(ASE)에 의해 성장된 단결정 구리 박막(SCCF)의 표면. a, 원자 한층 거칠기로 구현된 구리 박막 표면의 단면 HRTEM 이미지.
b-c, 기하학적 위상 분석(GPA)으로 얻은 평면 내 및 평면 외 스트래인 필드 맵. d, (111) 층 간격(d(111) = 0.21 nm)에 대한 면외 방향을 따라 얻은 실험 및 시뮬레이션된 강도 프로파일의 비교.
e, 구리 박막의 표면 부분에 대해 동시에 획득한 ADF- 및 ABF-STEM 이미지. 스케일 바: 2nm
참고문헌
1. Layer-controlled single-crystal graphene film with stacking order via Cu-Si alloy formation, VL Nguyen, et al., Se-Young Jeong* and Young Hee Lee*, Nature Nanotech. s41565-020-0743-0 (2020)
2. Color of Copper/Copper oxide, S.J. Kim, et al., and, W.S. Choi*, Se-Young Jeong* and Y. H. Lee*, Adv. Mat. 202007345 (2021)
3. Flat-surface-assisted and self-regulated oxidation resistance of Cu(111) , S.J. Kim, et al., and S. G. Kim*, Y. M. Kim* and Se-Young Jeong*, Nature (2021) in press.
4. Wafer-scale high-quality Ag thin film using a ZnO buffer layer for plasmonic applications, B.-G. Jung , et al., Young Hee Lee*, Seung chul Kim*, Se-Young Jeong*, Applied Surface Science 512 (2020) 145705
5. Wafer-scale single-crystalline AB-stacked bilayer graphene, VL Nguyen, et al., and Se-Young Jeong* and Young Hee Lee*, Advanced Materials, 201601760 (2016)