Thickness-controlled black phosphorus tunnel field-effect transistor for low-power switches

Nature Nanotechnology

https://www.nature.com/articles/s41565-019-0623-7 

[NEWS & Highlights]

1. KAIST, 저전력·고속 터널 전계효과 반도체 개발
   글로벌이코노믹
2. KAIST, 저전력·고속 트랜지스터 개발…비메모리 분야 활용 기대
   IT조선
3. KAIST, 저전력·고속 터널 전계효과 트랜지스터 개발
   서울경제
4. KASIT 연구팀, 미래 반도체용 차세대 소재 개발 성공
   아주경제
5. KAIST, 저전력·고속 터널 전계효과 트랜지스터 개발
   교수신문
6. KAIST, 대기전력 소모 1만배 적은 트랜지스터 개발
   뉴스1
7. 저전력·고속 터널 전계효과 트랜지스터 개발
   뉴스웍스
8. 기존보다 전력소모량 1만배↓…KAIST 저전력·초고속 트랜지스터 개발
   헤럴드경제
9. 전력 소모 10배 줄인 저전력 고속 트랜지스터 개발
   MTN 
10. KAIST, 저전력·고속 트랜지스터 개발
    뉴스핌
11. 대기전력 소모 1만배 적은 트랜지스터 개발
    파이낸셜뉴스 
12. KAIST, 대기전력 소모 1만배 적은 차세대 트랜지스터 개발
    ZDNet Korea