Gate-Tunable Reversible Rashba–Edelstein Effect in a Few-Layer Graphene/2H-TaS2 Heterostructure at Room Temperature
ACS NANO
https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsnano.0c01037
[NEWS & Highlights]
- Highly efficient charge-to-spin interconversion in graphene heterostructures
PHYS.ORG - Highly efficient charge-to-spin interconversion in graphene heterostructures
ScienceDaily - Researchers present a new route for designing a graphene-based active spintronic component
Nanowerk - Highly Efficient Charge-to-Spin Interconversion in Graphene Heterostructures
Miragenews - KAIST, 그래핀 스핀 트랜지스터 초석 기술 개발...자기장·자성체 없이 전기로...
전자신문 - KAIST, 전기로만 작동하는 '그래핀 스핀 트랜지스터' 원천기술 개발
IT조선 - KAIST, 전기적으로만 스핀 전류 생성·검출·제어 '원천 기술' 개발
글로벌이코노믹 - KAIST 조성재 교수 연구팀 "차세대 그래핀 스핀 트랜지스터 개발 성큼"
메트로신문 - KAIST, 그래핀 활용해 자성체 없이 스핀 전류 생성
AI타임스 - 자기장·자성체 없이 스핀 전류 생성·검출
뉴스웍스 - KAIST, 차세대 저전력 '스핀 트랜지스터' 원천기술 세계 최초 개발
조선비즈 - KAIST, 차세대 그래핀 스핀 트랜지스터 원천기술 개발
내일신문 - KAIST, 자기장·자성체 없이 전기로만 작동하는 '그래핀 스핀 트랜지스터' 개...
머니투데이 - KAIST, 자기장·자성체 없이 스핀 전류 생성·검출 성공
뉴스1 - 국내 연구진, 차세대 그래핀 트랜지스터 개발 돌파구 마련
서울경제 - 카이스트, 전기로 작동 '그래핀 스핀 트랜지스터' 원천기술 개발
이투데이